规格书 |
|
标准包装 |
2,000 |
当前
- Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) |
150mA @ 15V |
漏极至源极电压(VDSS) |
- |
当前
Drain (Id) - Max |
- |
FET 型
|
N-Channel |
- 击穿电压 (V(BR)GSS) |
25V |
电压
- Cutoff (VGS off) @ Id |
4V @ 3nA |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
30pF @ 10V (VGS) |
电阻 - RDS(ON) |
5 Ohm |
安装类型
|
Through Hole |
包装材料
|
Bulk |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 |
TO-92-3 |
功率 - 最大 |
350mW |
产品种类 |
JFET |
RoHS |
RoHS Compliant |
晶体管极性 |
N-Channel |
漏极电流(智能决策支持系统在Vgs = 0 ) |
150 mA |
源极击穿电压 |
- 25 V |
配置 |
Single |
安装风格 |
Through Hole |
封装/外壳 |
TO-92 |
封装 |
Bulk |
栅源截止电压 |
- 10 V |
功率耗散 |
350 mW |
抗漏源极RDS ( ON) |
5 Ohms |
工厂包装数量 |
2000 |
零件号别名 |
PN5432_NL |
寿命 |
End of Life: Scheduled for obsolescence and will be discontinued by the manufacturer. |
供应商封装形式 |
TO-92 |
最大门源电压 |
-25 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
标准包装名称 |
TO-92 |
渠道类型 |
N |
最大功率耗散 |
350 |
最大漏极栅极电压 |
25 |
最低工作温度 |
-55 |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Through Hole |
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) |
25V |
安装类型 |
Through Hole |
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) |
150mA @ 15V |
电阻 - RDS(ON) |
5 Ohm |
供应商设备封装 |
TO-92-3 |
电压 - 切断(VGS关)@ Id |
4V @ 3nA |
FET型 |
N-Channel |
功率 - 最大 |
350mW |
标准包装 |
2,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
30pF @ 10V (VGS) |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
单位重量 |
0.007090 oz |
RDS(ON) |
5 Ohms |
漏源电流在Vgs = 0 |
150 mA |
栅源电压(最大值) |
25 V |
安装 |
Through Hole |
包装类型 |
TO-92 |
工作温度(最大) |
150C |
工作温度(最小值) |
-55C |
工作温度分类 |
Military |
漏栅极电压(最大值) |
25 V |
弧度硬化 |
No |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) |
30pF @ 10V (VGS) |
FET 类型 |
N-Channel |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) |
25V |
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) |
4V @ 3nA |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
电阻 - RDS(开) |
5 Ohm |
功率 - 最大值 |
350mW |
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) |
150mA @ 15V |